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AP9997GJ - Advanced Power Electronics Corp

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Kynix Teil #: KY13-AP9997GJ
Hersteller Teil #: AP9997GJ
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp
Beschreibung: TRANSISTOR 11 A, 100 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet AP9997GJ Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Surface Mount  
NO
Number of Terminals  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Package Style  
IN-LINE
Package Shape  
RECTANGULAR
Package Body Material  
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max  
150 °C
Number of Elements  
1
Drain Current-Max (ID)  
11 A
Package Description  
IN-LINE, R-PSIP-T3
Part Package Code  
TO-251
Ihs Manufacturer  
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Part Life Cycle Code  
Contact Manufacturer
ECCN Code  
EAR99
Terminal Position  
SINGLE
Terminal Form  
THROUGH-HOLE
Reach Compliance Code  
compliant
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSIP-T3
Qualification Status  
Not Qualified
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Transistor Application  
SWITCHING
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
JEDEC-95 Code  
TO-251
Drain-source On Resistance-Max  
0.12 Ω
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
30 A
DS Breakdown Voltage-Min  
100 V
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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    What type of technology does the AP9997 series come from?

    Advanced Power

    What type of application is the TO-252 package suited for?

    high current

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    Kynix Teil #: KYundefined-undefined
    Hersteller Teil #:
    Produktkategorie:
    Hersteller:
    Beschreibung: TRANSISTOR 11 A, 100 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power
    Verpackung:
    Menge:
    Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
    Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
    Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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